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Titulación: Ingeniero de Telecomunicación Departamento:Electricidad y Electrónica Centro: E.T.S. de Ingenieros de Telecomunicación Campus "Miguel Delibes". Camino del Cementerio s/n. 47011 Valladolid Curso: 3º Carácter: Troncal Impartición: Primer cuatrimestre Número de créditos: 6.0 Ofertada actualmente: Sí Observaciones:
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Correo electrónico de contacto:PedroCastrilloteluvaes Objetivos:1.- Entender el principio de funcionamiento de los principales dispositivos optoelectrónicos 2.- Conocer y comprender las características de funcionamiento de los principales tipos de dispositivos optoelectrónicos comerciales y su relación con la tecnología de fabricación 3.- Conocer las aplicaciones de los dispositivos y de los sistemas optoelectrónicos. 4.- Ser capaz de analizar las hojas de especificaciones de dispositivos reales, relacionando la información de éstas con los conocimientos vistos en teoría, extrayendo datos implícitos y efectuando una valoración del dispositivo. Descripción: Dispositivos optoelectrónicos: semiconductores para optoelectrónica; emisores (LEDs y diodos láser); fotodetectores. Contenidos:TEMA 1- Propiedades básicas de los semiconductores Introducción. Propiedades básicas de la luz. Estructura de bandas de los semiconductores. Familias de semiconductores. Estadística de portadores. Fenómenos de generación y recombinación. Heteroestructuras. Técnicas de crecimiento epitaxial. TEMA 2- Propiedades ópticas de los semiconductores Consideraciones generales para la interacción de la luz con los semiconductores. Absorción de luz. Emisión espontánea y estimulada. Índice de refracción. Modificación de las propiedades ópticas con diversos parámetros. Propiedades ópticas de las heteroestructuras. TEMA 3- Diodos emisores de luz (LEDs) Luminiscencia por inyección de portadores. Respuesta espectral. Eficiencia de emisión. Características I-V y P-I. Diagrama de emisión. Unidades fotométricas. Fiabilidad. Respuesta en frecuencia. Polarización del LED. TEMA 4- LEDs específicos: estructura, características y aplicaciones IREDs de GaAs y AlGaAs. IREDS para 2ª ventana. LEDs de GaP y GaAsP. LEDs rojos de AlGaAs. LEDs de AlGaInP. LEDs de nitruros. Carta cromática. Aplicaciones de visualización. Aplicaciones en transmisión de datos. Otras aplicaciones. TEMA 5- Diodos láser (LD) Emisión estimulada en diodos de unión pn. Saturación de la ganancia. Cavidades ópticas. El diodo láser: condición de oscilación. Características P-I: corriente umbral y eficiencia diferencial. Características I-V y P-P. Láseres de confinamiento separado. Láseres de pozo cuántico. Distribución espectral. Láseres monomodo: DFB y DBR. Confinamiento lateral. Características del haz. Respuesta en frecuencia: análisis cualitativo. Fiabilidad. TEMA 6- Diodos láser para transmisión y lectura de datos Configuración de los dispositivos. Diodos láser de GaAs/AlGaAs. Diodos láser de potencia(*). Diodos láser de visible. Emisores para la 2ª y 3ª ventana. Amplificadores de fibra óptica. Láseres de bombeo. Diodos láser específicos para DWDM. Láseres de emisión por superficie. TEMA 7- Fotodiodos (PDs) pn y pin Tipos de dispositivos fotodetectores. Principio de funcionamiento de los fotodiodos pn y pin. Eficiencia y respuesta espectral. Características eléctricas. Relación señal-ruido. Respuesta en frecuencia. Diseño y fabricación de PDs de Si y de PDs GaInAs/InP. TEMA 8- Otros tipos de fotodiodos Fotodiodos Schottky. Fotodiodos de avalancha. Fototransistores. Mejoras para fotodiodos de ultra-alta frecuencia(*). Circuitos básicos con fotodiodos. Ejemplos de aplicaciones. (*): apartado complementario Evaluación:Examen escrito, con cuestiones teóricas y prácticas. Habrá además 3 exámenes parciales voluntarios: Semiconductores (octubre), LEDs (noviembre) y láseres (diciembre). La nota de los exámenes parciales aprobados se contabilizará sólo en caso de que contribuyan a mejorar la nota final. Estos exámenes no eliminan materia. Cada exámen parcial, en caso de contabilizar, valdrá un 15% de la nota final. (Por tanto, el valor máximo posible del total de los parciales es de un 45%). El resto de la nota será la del examen oficial. En caso de no aprobar la asignatura en febrero, la nota de los parciales aprobados se guardará hasta septiembre (pero no para el curso siguiente). Observaciones:Para más información: Pedro Castrillo Romón Despacho 1D047, ETSIT. tel: 983-423000 ext: 5511 e-mail: Pedro.Castrillo@tel.uva.es Fecha de revisión: 12-09-2012